季振国
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赵丽娜
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何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响. 结果表明, 当In/Sn比较小
时, 薄膜为金红石结构的二氧化锡, 导电类型为n型; 当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时, 薄膜仍为金红石结构, 但导电类型转为p型的; 当In/Sn比超过0.3时,
薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成, 由于氧空位的存在, 薄膜又转变为n型. 因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜, In/Sn比不宜过低, 也不能过高. 热处理温度对薄膜的导电类
型也有影响, 对于In/Sn=0.2的薄膜, 温度低于550℃时薄膜为n型导电, 但当热处理温度高于550℃时, 由于In3+取代Sn4+, 因此薄膜为p型导电. 当热处理温度高于700℃
时, 薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3, 与此同时, 透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
transparent conducting
,
spray pyrolysis
,
p-type doping
高赟
,
赵高扬
,
任洋
人工晶体学报
采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含SiO2过渡层与TiO2过渡层的玻璃上制备了F掺杂SnO2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂SnO2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂SnO2膜层的光电性能的影响.结果表明,过渡层种类对F掺杂SnO2薄膜各项性能影响很大,在SiO2薄膜过渡层上制备的F掺杂SnO2薄膜晶粒最小且表面致密,在TiO2过渡层制备的F掺杂SnO2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂SnO2薄膜较为疏松,以SiO2为过渡层制备的F掺杂SnO2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9％,电阻率为5.33×10-4 Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂SnO2薄膜.
关键词:
FTO薄膜
,
喷雾热解
,
过渡层
,
光电性能
